三菱電機（本社：東京都千代田区）は３月14日、SiC（炭化ケイ素＝シリコンカーバイド）パワー半導体の生産体制強化に向けた新工場の建設をはじめ、パワーデバイス事業における2021年度から2025年度までの累計設備投資を、従来計画の約1,300億円から倍増させ約2,600億円を投資すると発表した。新工場の稼働開始は2026年４月の予定。
近年、とりわけSiCパワー半導体は電気自動車（EV）向け需要の拡大に伴い、急速な市場拡大が見込まれるとともに、低損失・高温度動作・高速スイッチング動作等が求められる様々な応用分野をさらなる市場の広がりが予想されている。
同社はこうした市場拡大に対応するため、SiCウエハについて熊本県で約1,000億円を投じ新工場の建設と設備を増強する。大口径化（８インチウエハ）に対応するほか、市場の旺盛な需要増に応えるため６インチウエハ製品の生産設備を増強する。